ここでは、輸出令及び貨物等省令のマトリクス（エレクトロニクス）を挙げていきます。なお、ECCN（輸出規制品目分類番号；Export Control Classification Number）は、アメリカ合衆国の輸出管理規則上のものです。本表では、貨物等省令の各号レベルで、それぞれ関係するECCN（2007年3月時点で公表されているもの）を参考情報として付記しています。個々の具体的な内容や個々の貨物に対応する個別番号については、それぞれのECCNを確認してください。
| 輸出令第７項 | 貨物等省令第６条 | 解釈 | （参考） 関係する ECCN 番号 （注） |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 項番 | 項目 | 項番 | 項目 | 用語 | 用語の意味 | ||
| 輸出令 第７項 |
次に掲げる貨物であって、経済産業省令で定める仕様のもの | 貨物等省令 第６条 |
輸出令別表第１の７の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。 | 輸出令別表第１の７の項の経済産業省令で定める仕様のもの | 貨物等省令第６条第一号イ、ロ若しくはヌ又は同条第二号から第十六号の二までに該当するものであって輸出令別表第１の１の項から１５の項までの中欄のいずれかに掲げられた貨物に使用するように特別に設計したもの又はこれと同じ機能特性のものは、輸出令別表第１の当該貨物の規定に基づいて判定するものとする。 | ||
| 貨物等省令第６条第一号イ、ロ若しくはヌ又は同条第二号から第十六号の二までに該当するものであって、他の貨物（輸出令別表第１の１の項から１５の項までの中欄のいずれかに掲げられた貨物を除く。）に使用するように設計したものを除く。 | |||||||
| 輸出令 第７項 （１） |
集積回路（4の項の中欄に掲げるものを除く。） | 貨物等省令 第６条 第一号 |
集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
イ 次のいずれかの放射線照射に耐えられるように設計したもの （一）全吸収線量がシリコン換算で5,000グレイ以上のもの （二）吸収線量がシリコン換算で1秒間に5,000,000グレイ以上のもの （三）1メガ電子ボルト相当の中性子束（積算値）が1平方センチメートルあたり50兆個以上をなるもの（MIS型のものを除く。） ロ マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、プログラムを電気的に消去することができるプログラマブルロム（フラッシュメモリーを含む。）、スタティック式のラム、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路（ハからチまでのいずれか、ル若しくはヲに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。）又はＦＦＴプロセッサであって、次のいずれかに該当するもの （一）１２５度を超える温度で使用することができるように設計したもの （二）零下５５度未満の温度で使用することができるように設計したもの （三）零下５５度以上１２５度以下のすべての温度範囲で使用することができるように設計したもの ハ マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラのうち、化合物半導体を用いたものであって、最大クロック周波数が40メガヘルツを超えるもの ニ 削除 ホ アナログデジタル変換用のもの又はデジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの （一）アナログデジタル変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの １ 分解能が８ビット以上１０ビット未満のものであって、出力速度が５００メガサンプリング毎秒を超えるのもの ２ 分解能が１ ０ビット以上１２ビット未満のものであって、出力速度が３００メガサンプリング毎秒を超えるもの ３ 分解能が１２ビット のものであって、出力速度が２００メガサンプリング毎秒を超えるもの ４ 分解能が１２ビット 超１４ビット以下のものであって、出力速度が１２５メガサンプリング毎秒を超えるもの ５ 分解能が１４ビットを超えるものであって、出力速度が２０メガサンプリング毎秒を超えるもの （二）デジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの １ 分解能が１０ビット以上のものであって、調整された更新速度が３５００メガサンプリング毎秒以上のもの ２ 分解能が１２ビット以上のものであって、調整された更新速度が１２５０メガサンプリング毎秒以上のもののうち、次のいずれかに該当するもの 一 １２ビットの分解能で動作する場合のアナログ出力値が、フルスケールのレベルからフルスケールの０．０２４パーセントのレベルに変化するまでのセトリング時間が９ナノ秒未満のもの 二 １００メガヘルツのデジタル入力信号でフルスケールを出力する場合又は１００メガヘルツ未満のデジタル入力信号で最も高いフルスケールを出力する場合のスプリアス・フリー・ダイナミック・レンジが６８デシベルを超えるもの ヘ 信号処理用の電気光学的集積回路又は光集積回路であって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの （一）レーザー発振器を有するもの ト フィールドプログラマブルロジックデバイスであって、次のいずれかに該当するもの （一）最大デジタル入出力数が２００を超えるもの チ ニューラルネットワークを用いたもの リ カスタム集積回路であって、次のいずれかに該当するもの （一）端子数が１，５００を超えるもの ヌ 化合物半導体を用いたデジタル方式のものであって、次のいずれかに該当するもの（マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、アナログデジタル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路又は光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、ニューラルネットワークを用いたもの、カスタム集積回路、ＦＦＴプロセッサを除く。） （一）等価ゲート数が２入力ゲート換算で３，０００を超えるもの ル ＦＦＴプロセッサであって、高速フーリエ変換のミリ秒で表した定格実行時間が次に掲げる式により算出した値未満のもの （複素点の数）ｌｏｇ２（複素点の数）／20,480 ヲ ダイレクト・デジタル・シンセサイザ（DDS）集積回路であって、次のいずれかに該当するもの |
集積回路 | モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路（集積回路を組み合わせたもの又は集積回路と回路素子若しくは個別部品を組み合わせて、特定の機能を行うように相互に接続したものであって、カプセル封じをしていないデバイスを１以上含むもので、通常の集積回路の製造方法を用いて相互接続されているもので、一体として交換可能なもので、かつ、分解することが不可能なものをいう。）､マルチチップ集積回路（同一基板上にモノリシック集積回路を複数搭載したものをいう。)､膜形集積回路（厚膜又は薄膜の堆積によって、絶縁基板上に回路素子及び金属相互接続のアレイを形成したものをいう。)､シリコンオンサファイア集積回路、光集積回路及びそれらの機能が決定されたウエハー（完成されたもの及び切断されていないものを含む。）を含む。 | 3A001a | |
| 光集積回路 | モノリシック集積回路又はハイブリッド集積回路であって、１以上の受光素子若しくは発光素子として機能するように設計した部品又は光機能若しくは光と電気の相互変換の機能を果たすようにに設計した部品を含むものをいう。 | ||||||
| 貨物等省令第６条第一号ロ、同号へ、同号ヌ及び同条第三号中の信号処理 | 外部からの情報を伝送する信号を処理することであって、高速フーリエ変換、ウォルシュ変換その他の領域間の変換、時間圧縮、フィルター処理、抽出、選択、相関、たたみ込みその他これらに類するアルゴリズムを用いることを言う。 | ||||||
| 貨物等省令第６条第一号ハからチまで及びルの集積回路 | 輸出令別表第１の１の項から１５の項までの中欄のいずれかに掲げられた貨物に使用するように特別に設計したものであって、設計又はプログラムを変更することができないものは、輸出令別表第１の当該貨物の規定に基づいて判定するものとする。輸出令別表第１の１の項から１５の項までの中欄のいずれかに掲げられた貨物であるか否かを判断できない場合は、貨物等省令第６条第一号ハからチまで又はルに基づいて判定するものとする。 | ||||||
| 他の貨物（輸出令別表第１の１の項から１５の項までの中欄のいずれかに掲げられた貨物を除く。）に使用するように特に設計したものであって、設計又はプログラムを変更することができないものを除く。 | |||||||
| マイクロプロセッサ | 論理演算ユニットを内蔵したものであって、外部記憶からの汎用命令を実行することができるものをいう。 | ||||||
| マイクロコンピュータを除き、デジタルシグナルプロセッサ、デジタルアレイプロセッサ、デジタルコプロセッサ及び複数のチップから構成されたものであって、一緒に動作することによりマイクロプロセッサ機能を与えるように設計したチップセットを含む。 | |||||||
| マイクロコンピュータ | 論理演算ユニットを内蔵したものであって、内部記憶内のデータに関して内部記憶からの汎用命令を実行することができるものをいう。 | ||||||
| 内部記憶が外部記憶により増補されたものを含む。 | |||||||
| フラッシュメモリー | プログラムを電気的に消去することができるプログラマブルロムであって、ブロック以上の単位、セクタ単位又はチップ単位でしかデータを消去できないものをいう。 | ||||||
| フィールドプログラマブルロジックデバイス | 次のいずれかに該当するものを含む。
イ プログラムが既に書き込まれているものであって、変更が可能なもの又は書き換え可能なもの ロ 小規模プログラマブルロジックデバイス（SPLDs） ハ 小規模プログラマブルロジックデバイス（SPLDs） ニ フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGAs） ホ フィールドプログラマブルロジックアレイ（FPLAs） ヘ フィールドプログラマブル相互接続用集積回路（FPICs） |
||||||
| 最大デジタル入出力数 | 集積回路又はパッケージされているか否かに関わらず、使用者が使用できる最大の入出力数又は使用することができる最大の入出力数をいう。 | ||||||
| 最大クロック周波数 | 回路内部の最大クロック周波数をいう。ただし、外部よりクロックを与える場合にあっては、内部の回路が対応し得る最大動作周波数をいう。 | ||||||
| 貨物等省令第６条第一号ホ（一）中のアナログデジタル変換用のもの | 貨物等省令第６条第一号ホ（一）中のアナログデジタル変換用のもの（以下、「ＡＤＣ」という。）については、以下のとおりとする。
イ ｎビットの分解能とは、２ｎレベルに相当する量子化能力をいう。 ロ 出力ワードのビット数は、ＡＤＣの分解能に等しい。 ハ 出力速度とは、アーキテクチャ又はオーバーサンプリングによらず、変換器の出力速度の最大値をいう。 ニ 複数のチャネルを有するＡＤＣについては、その出力は複数のチャネルを集合させたものではなく、その出力速度は１つのチャネルのうち最大のものをいう。 ホ インターリーブ型ＡＤＣ又はインターリーブ方式で動作するように設計した複数のチャネルを有するＡＤＣの出力は、すべてのチャネルの出力を集合させたものであり、その出力速度は集合した最大出力速度をいう。 ヘ 出力速度は、サンプリングレート、変換レート又はスループットレートともいい、メガヘルツ（ＭＨｚ）又はメガサンプル毎秒（ＭＳＰＳ）で表示される。 ト 出力速度の計測について、１秒当たりの１出力ワードは、１ヘルツ又は１サンプル毎秒に相当する。 チ 複数のチャネルを有するＡＤＣとは、２以上のＡＤＣユニットが集積化されたものであって、各ＡＤＣユニットが各々のアナログ入力を行うよう設計されたものをいう。 リ インターリーブ型ＡＤＣとは、同じアナログ入力信号を異なる時刻にサンプリングする複数のＡＤＣユニットを有するものをいう。異なる時刻にサンプリングしたデジタル出力信号を集合させることにより、アナログ入力信号をより高いサンプリングレートで効果的にサンプリングし変換することができる。 |
||||||
| メガバイト | １バイト＝８ビット １キロバイト＝１，０２４バイト １メガバイト＝１，０２４キロバイト |
||||||
| メガビット | １キロビット＝１，０２４ビット １メガビット＝１，０２４キロビット |
||||||
| 調整された更新速度 | 通常の（非補間型）デジタルアナログ変換用の集積回路（以下、「ＤＡＣ」という。）の場合、デジタル入力信号がアナログ出力信号に変換されるときの速度をいい、アナログ出力値はＤＡＣにより変わる。補間モードを経由しない（補間率が１倍）ことができるＤＡＣは、通常の（非補間型）ＤＡＣとみなす。補間型ＤＡＣ（オーバーサンプリング型ＤＡＣ）の場合、ＤＡＣ更新速度を最小の補間率で除して得られた値をいう。補間型ＤＡＣに係る調整された更新速度は、入力データレート、入力デジタルワードレート、入力サンプルレート、最大総入力バスレート、ＤＡＣクロック入力用最大ＤＡＣクロックレートともいう。 | ||||||
| セトリング時間 | 変換器が任意の２つのレベル間でスイッチしたとき、出力レベルが最終値に対して２分の１ビット以内に達するのに要する時間をいう。 | ||||||
| 貨物等省令第６条第一号 ホ（二）中の信号 |
スプリアス・フリー・ダイナミック・レンジの測定において、アナログ出力信号の振幅が－３デシベルフルスケールを超えるとき、そのデジタル入力信号はフルスケールである。 | ||||||
| スプリアス・フリー・ダイナミック・レンジ | 基本周波数の信号をＤＡＣに入力したときにデジタルアナログ変換されて出力される基本周波数（最大信号成分）の実効値の、基本周波数に次いで高い出力振幅である雑音又は高調波歪成分の実効値に対する比率をいう。直接、仕様書又はスプリアス・フリー・ダイナミック・レンジの周波数依存性に関する特性図により表される。 | ||||||
| レーザー発振器 | 「２．レーザー発振器」の解釈に同じ。 | ||||||
| 基本ゲート伝搬遅延時間 | モノリシック集積回路に使用される基本ゲートに対応する伝搬遅延時間の値。この値は、モノリシック集積回路の各ファミリー（注）に対しては、当該ファミリー内の代表的なゲート当たりの伝搬遅延時間又は当該ファミリー内の代表的な伝搬遅延時間のいずれかで評価される。
（注）ファミリーは、集積回路の個別の機能を除いた製造方法及び仕様として次のすべての項目が適用される集積回路からなる。 ａ．共通のハード及びソフトのアーキテクチャー |
||||||
| カスタム集積回路 | 製造者が特定の顧客からの仕様の提示に基づいて製造し、その顧客に供給するもの又は供給したものをいう（製造者が、輸出令別表第１の５から15までの項の中欄に掲げられた貨物であるか否かを判断できないものに限る。）。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （２） |
マイクロ波用機器若しくはその部分品又はミリ波用機器の部分品 | 貨物等省令 第６条 第二号 |
マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
イ 電子管であって、次の（一）又は（二）に該当するもの（（三）に該当するものを除く。） （一）進行波管であって、次のいずれかに該当するもの １ 動作周波数が３１．８ギガヘルツを超えるもの ２ フィラメントを加熱してから定格出力に達するまでの時間が３秒未満の熱陰極を有するもの ３ 空胴結合形のものであって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が７パーセントを超えるもの又は最大出力が２．５キロワットを超えるもの ４ ヘリックス形のものであって、次のいずれかに該当するもの 一 １オクターブを超える瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力の数値にギガヘルツで表した場合の動作周波数の数値を乗じて得た数値が０．５を超えるもの 二 １オクターブ以下の瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力の数値にギガヘルツで表した場合の動作周波数の数値を乗じて得た数値が１を超えるもの 三 宇宙用に設計したもの （二）クロスフィールド増幅管であって、その利得が１７デシベルを超えるもの （三）国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域（無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。）で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの １ 動作周波数が３１．８ギガヘルツ以下であるもの ２ 専ら宇宙において使用するために設計したもの以外のものであって、平均出力値が５０ワット以下及び動作周波数が３１．８ギガヘルツ以上４３．５ギガヘルツ以下のもの ロ 電子管に使用するように設計した含浸形陰極であって、定格動作状態での連続放射電流密度が５アンペア毎平方センチメートルを超えるもの ハ マイクロ波用モノリシック集積回路を用いた電力増幅器であって、次のいずれかに該当するもの（４０．５ギガヘルツ以上４２．５ギガヘルツ以下の動作周波数で使用するように設計した衛星放送用のものを除く。） （一）動作周波数が３．２ギガヘルツ超６．８ギガヘルツ以下であって、平均出力値が４ワット（３６ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が１５パーセントを超えるもの （二）動作周波数が６．８ギガヘルツ超１６ギガヘルツ以下であって、平均出力値が１ワット（３０ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が１０パーセントを超えるもの （三）動作周波数が１６ギガヘルツ超３１．８ギガヘルツ以下であって、平均出力値が０．８ワット（２９ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が１０パーセントを超えるもの （四）動作周波数が３１．８ギガヘルツ超３７．５ギガヘルツ以下であって、平均出力値が０．１ナノワットを超えるもの （五）動作周波数が３７．５ギガヘルツ超４３．５ギガヘルツ以下であって、平均出力値が０．２５ワット（２４ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が１０パーセントを超えるもの （六）動作周波数が４３．５ギガヘルツを超え、平均出力値が０．１ナノワットを超えるもの ニ マイクロ波用ディスクリートトランジスタであって、次のいずれかに該当するもの （一）動作周波数が３．２ギガヘルツ超６．８ギガヘルツ以下であって、平均出力値が６０ワット（４７．８ディービーエム）を超えるもの （二）動作周波数が６．８ギガヘルツ超３１．８ギガヘルツ以下であって、平均出力値が２０ワット（４３ディービーエム）を超えるもの （三）動作周波数が３１．８ギガヘルツ超３７．５ギガヘルツ以下であって、平均出力値が０．５ワット（２７ディービーエム）を超えるもの （四）動作周波数が３７．５ギガヘルツ超４３．５ギガヘルツ以下であって、平均出力値が１ワット（３０ディービーエム）を超えるもの （五）動作周波数が４３．５ギガヘルツを超え、平均出力値が０．１ナノワットを超えるもの ホ マイクロ波用固体増幅器又はマイクロ波用固体増幅器を含む組立品若しくはモジュールであって、次のいずれかに該当するもの（マイクロ波用モノリシック集積回路を用いた電力増幅器又は４０．５ギガヘルツ以上４２．５ギガヘルツ以下の動作周波数で使用するように設計した衛星放送用のものを除く。） （一）動作周波数が３．２ギガヘルツ超６．８ギガヘルツ以下であって、平均出力値が６０ワット（４７．８ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が１５パーセントを超えるもの （二）動作周波数が６．８ギガヘルツ超３１．８ギガヘルツ以下であって、平均出力値が１５ワット（４２ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が１０パーセントを超えるもの （三）動作周波数が３１．８ギガヘルツ超３７．５ギガヘルツ以下であって、平均出力値が０．１ナノワットを超えるもの （四）動作周波数が３７．５ギガヘルツ超４３．５ギガヘルツ以下であって、平均出力値が１ワット（３０ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が１０パーセントを超えるもの （五）動作周波数が４３．５ギガヘルツを超え、平均出力値が０．１ナノワットを超えるもの （六）動作周波数が３．２ギガヘルツを超えるものであって、次の１から３までのすべてに該当するもの １ ワットで表した平均出力値にギガヘルツで表した最大動作周波数の二乗を乗じた値が１５０を超えるもの ２ 瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が５パーセント以上のもの ３ アレー状に配列された増幅器又は組立品、モジュールの垂直に隣り合った距離をセンチメートルで表した値にギガヘルツで表した最小動作周波数を乗じた値が１５以下のもの ヘ 電子的又は磁気的に同調可能な帯域通過フィルターであって、次の（一）及び（二）に該当するもの （一）半オクターブの周波数帯域を１０マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を６以上有するもの （二）中心周波数の０．５パーセントを超える帯域を通過することができるもの ト 電子的又は磁気的に同調可能な帯域阻止フィルターであって、次の（一）及び（二）に該当するもの （一）半オクターブの周波数帯域を１０マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を６以上有するもの （二）中心周波数の０．５パーセント未満の帯域を阻止することができるもの チ 削除 リ ハーモニックミクサ又はコンバータであって、無線周波数分析器、周波数シンセサイザーを用いた信号発生器、ネットワークアナライザー又はマイクロ波用試験受信機の周波数帯域を拡張するように設計されており、これらの装置の周波数帯域が第十二号イ、ロ若しくはハ、第十三号イ、ロ若しくはホ、第十四号又は第十五号イのいずれかに該当するように設計したもの ヌ イに該当する電子管を内蔵するマイクロ波用電力増幅器であって、次の（一）及び（二）に該当するもの（国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域（無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。）で使用するように設計したものを除く。） （一）動作周波数が３ギガヘルツを超えるもの （二）平均出力電力の質量に対する比が８０ワット毎キログラムを超えるものであって、体積が４００立方センチメートル未満のもの ル マイクロ波用電力モジュールであって、進行波管、マイクロ波用モノリシック集積回路及び電源を有するもののうち、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの （一）完全停止状態から完全作動状態までの時間が10秒未満のもの （二）体積が、ワットで表した最高定格出力値に10立方センチメートル毎ワットを乗じて得た数値未満のもの （三）１オクターブを超える瞬時帯域幅を有するものであって、次のいずれかに該当するもの １ 周波数が18ギガヘルツ以下のものにあっては、無線周波数の出力が100ワットを超えるもの ２ 周波数が18ギガヘルツを超えるもの ヲ 発振器又は発振機能を有する組立品であって、次の（一）及び（二）に該当するように設計したもの （一）動作周波数とオフセット周波数の隔たりが10ヘルツ超10キロヘルツ未満において、搬送波に対する1ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの ２０log10（メガヘルツで表した動作周波数）－２０log10（ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり）－126 （二） 動作周波数とオフセット周波数の隔たりが10キロヘルツ以上500キロヘルツ未満において、搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの ２０log10（メガヘルツで表した動作周波数）－２０log10（ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり）－114 ワ 周波数シンセサイザーを用いた組立品のうち、次のいずれかに該当するもの （一）周波数切換えの所要時間が三一二ピコ秒未満のもの （二）3.2ギガヘルツ超10.6ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、1.6ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が100マイクロ秒未満のもの （三）10.6ギガヘルツ超31.8ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、550メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が250マイクロ秒未満のもの （四）31.8ギガヘルツ超43.5ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、550メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が500マイクロ秒未満のもの （五）43.5ギガヘルツ超５６ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、５５０メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が1ミリ秒未満のもの （六）５６ギガヘルツ超７０ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、２．２ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が１ミリ秒未満のもの （七）７０ギガヘルツを超える合成出力周波数範囲で、周波数切換えの所要時間が１ミリ秒未満のもの |
国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域 | 最新版の国際電気通信連合無線通信規則により１次業務及び２次業務用に割り当てた周波数帯域をいう。 | 3A001b | |
| 付加分配及び代替分配に割り当てた周波数地帯を除く。 | |||||||
| 空胴結合形 | 遅波回路として、軸方向に隣接して配設した複数個の空胴を電磁気的に結合したものをいう。 | ||||||
| 空胴結合形の変形を含む。 | |||||||
| ヘリックス形 | 遅波回路として、１以上のヘリックス形の高周波遅波回路を用いたらせん形のものをいう。 | ||||||
| はしご形、インタデジタル形、リングアンドバー形及びこれらの変形を含む。 | |||||||
| 瞬時帯域幅 | 他の動作パラメータを変えない状態で、出力が３デシベル未満の変化範囲にとどまる帯域幅をいう。 | ||||||
| 宇宙用に設計した | 人工衛星又は１００キロメートル以上の高度で動作する高高度飛行システムの発射及び飛行中に使用するための特別の電気的、機械的又は環境的な要件を満たすように設計、製造及び試験したことをいう。 | ||||||
| 含浸形陰極 | 多孔質の金属体（タングステン等）に電子放射物質を含浸させた陰極をいう。（この陰極の電子放射面に金属薄膜をコートしたものを含む。） | ||||||
| マイクロ波用モノリシック集積回路を用いた電力増幅器 | 貨物等省令第６条第二号ハの（一）から（六）でそれぞれ定める周波数帯域において、２以上の周波数帯域にまたがって作動するものについては、これらのうち平均出力値の最も低いものを制限値とする。 | ||||||
| モノリシック集積回路 | 受動回路素子、能動回路素子又はこれらの組合せであって、次のイからハまでのすべてに該当するものをいう。
イ 半導体材料の小片であるチップの中又はこの上に拡散プロセス、注入プロセス又は堆積プロセスによって形成されたもの ロ 分解することが不可能なように結合されたもの ハ 一つの回路の機能を実行するもの |
||||||
| マイクロ波用ディスクリートトランジスタ | 貨物等省令第６条第二号ニの（一）から（五）でそれぞれ定める周波数帯域において、２以上の周波数帯域にまたがって作動するものについては、これらのうち平均出力値の最も低いものを制限値とする。 | ||||||
| マイクロ波用固体増幅器又はマイクロ波用固体増幅器を含む組立品若しくはモジュール | 貨物等省令第６条第二号ホの（一）から（六）でそれぞれ定める周波数帯域において、２以上の周波数帯域にまたがって作動するものについては、これらのうち平均出力値の最も低いものを制限値とする。 | ||||||
| モジュール | 基板上に回路素子、個別部品又は集積回路を相互に接続したものであって、一体として交換可能であり、かつ、分解することが不可能なものをいう。 | ||||||
| 組立品 | 基板上に複数の回路素子、個別部品又は集積回路を特定の機能を行うように相互に接続したものであって、一体として交換可能であり、かつ、分解することが可能なものをいう。 | ||||||
| 半オクターブ | 周波数帯域内の最大周波数と最小周波数の比が、１．５：１のものをいう。 | ||||||
| 完全停止状態から完全作動状態までの時間 | 予熱時間を含む。 | ||||||
| 貨物等省令 第６条 第十五号 |
マイクロ波用試験受信機であって、次のイ及びロに該当するもの
イ 43.5ギガヘルツを超える周波数で使用することができるように設計したもの ロ 振幅及び位相を同時に測定できるもの |
3A002f | |||||
| 輸出令 第７項 （３） |
弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置又はその部分品 | 貨物等省令 第６条 第三号 |
弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置であって、次のいずれかに該当するもの（特定の帯域通過、低域通過、高域通過、帯域阻止又は共振の機能のいずれかのみを有するものを除く。）又はその部分品
イ 表面弾性波又は疑似表面弾性波を利用するものであって、次のいずれかに該当するもの （一）搬送周波数が６ギガヘルツを超えるもの （二）搬送周波数が１ギガヘルツ超６ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの １ サイドローブに対するメインローブの電力の比が６５デシベルを超えるもの ２ マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が１００を超えるもの ３ 帯域幅が２５０メガヘルツを超えるもの ４ 分散型遅延時間（周波数に応じた遅延時間の最大の値と最小の値との差をいう。）が１０マイクロ秒を超えるもの （三）搬送周波数が１ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの １ マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が１００を超えるもの ２ 分散型遅延時間が１０マイクロ秒を超えるもの ３ サイドローブに対するメインローブの電力の比が６５デジベルを超えるものであって、帯域幅が１００メガヘルツを超えるもの ロ バルク弾性波を利用するものであって、６ギガヘルツを超える周波数で信号の直接処理ができるもの ハ 弾性波と光波の相互作用を利用したものであって、信号又は画像の直接処理ができるもの |
サイドローブに対するメインローブの電力の比 | データシートに示される最大減衰量をいう。 | 3A001c | |
| 輸出令 第７項 （４） |
超電導材料を用いた装置 | 貨物等省令 第６条 第四号 |
超電導材料を用いた装置のうち、超電導材料を用いた部品を有する電子素子又は電子回路であって、使用する超電導材料の臨界温度より低い温度で使用することができるように設計し、かつ、次のいずれかに該当するもの
イ 超電導ゲートを有するデジタル回路用の電流スイッチングの機能を有するものであって、ゲート当たりの遅延時間にゲート当たりの電力消費を乗じて得た値が１，０００億分の一ミリジュール未満のもの ロ 周波数分離の機能を有するものであって、キュー値が１０，０００を超える共振回路を有するもの |
超電導 | すべての電気抵抗を消失することができる金属、合金又は化合物が、無限の導電率に達したときジュール熱の発生なしに大電流を流すことが可能なことをいう。 | 3A001d | |
| 超電導材料を用いた装置 | 電子素子、回路又はシステムを含む。 | ||||||
| 臨界温度 | ５の「臨界温度」の解釈に同じ。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （５） |
超電導電磁石（２の項の中欄に掲げるものを除く。） | 貨物等省令 第６条 第七号 |
１秒を要しないで磁界を完全に形成させ、又は消失させるように設計した超電導電磁石（ソレノイドコイル形のものを含む。）であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
イ 減磁の際に最初の１秒間で放出するエネルギーが１０キロジュールを超えるもの ロ コイルの内径が２５０ミリメートルを超えるもの ハ 定格最大電流密度が３００アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの又は定格磁束密度が８テスラを超えるもの |
||||
| 最大電流密度 | コイルの巻き数に最大電流を乗じた値をコイルの断面積で除した値をいう。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （６） |
一次セル、二次セル又は太陽電池セル | 貨物等省令 第６条 第五号 |
セルであって、次のいずれかに該当するもの
イ 一次セルであって、20度の温度におけるエネルギー密度が550ワット時毎キログラムを超えるもの ロ 二次セルであって、20度の温度におけるエネルギー密度が300ワット時毎キログラムを超えるもの |
セル | 電気化学デバイスであって、正極、負極及び電解質を有し、かつ、電気エネルギー源であるもののうち、バッテリーの基本的な構成部品であるものをいう。 | 3A001e | |
| シングルセルバッテリー又はバッテリーに組み込まれたものは除く。 | |||||||
| 一次セル | 外部電源から充電できるように設計されていないものをいう。 | ||||||
| 二次セル | 外部電源から充電できるように設計されているものをいう。 | ||||||
| 貨物等省令第６条第五号中のエネルギー密度 | 平均出力（Ｗ）に放電時間（ｈ）を乗じて得た数値を、セルの質量（ｋｇ）で除した数値をいい、公称電圧にアンペア時間で表した公称容量を乗じて得た数値を、キログラムで表した質量で除することで計算される。公称容量が示されていない場合のエネルギー密度は、公称電圧を二乗して得た数値に、時間で表した放電時間を乗じ、かつ、オームで表した放電負荷とキログラムで表した質量で除して計算することとする。 | ||||||
| 貨物等省令 第６条 第七号の二 |
太陽電池セル、セル連結保護ガラス集成品、太陽電池パネル又は太陽光アレーであって、宇宙用に設計したもののうち、エア・マス・ゼロで1,367ワット毎平方メートルの照射を受けたときの最小平均変換効率が、28度の動作温度において20パーセントを超えるもの | セル連結保護ガラス集成品 | インターコネクタ及びカバーガラス付セルを含む。 | 3A001e | |||
| エア・マス・ゼロ | 地球と太陽の間の距離を一天文単位とした場合の地球の大気圏外における太陽光の分光放射照度をいう | ||||||
| 輸出令 第７項 （７） |
高電圧用コンデンサ（２の項の中欄に掲げるものを除く。） | 貨物等省令 第６条 第六号 |
高電圧用のコンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
イ 反復サイクルが１０ヘルツ未満のコンデンサであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの （一）定格電圧が５キロボルト以上のもの （二）エネルギー密度が２５０ジュール毎キログラム以上 のもの （三）総エネルギーが２５キロジュール以上のもの ロ 反復サイクルが１０ヘルツ以上のコンデンサであって、 次の（一）から（四）までのすべてに該当するもの （一）定格電圧が５キロボルト以上のもの （二）エネルギー密度が５０ジュール毎キログラム以上のもの （三）総エネルギーが１００ジュール以上のもの （四）１０，０００回以上充電及び放電の繰り返しをすることができるように設計したもの |
高電圧用のコンデンサ | 定格電圧が5,000ボルト以上のものをいう。 | ||
| 反復サイクル | 所定の電圧において､エネルギーを１秒間に充放電できる回数で､ヘルツ数で表したものをいう。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （８） |
エンコーダ（４の項の中欄に掲げるものを除く。） | 貨物等省令 第６条 第八号 |
回転入力型のアブソリュートエンコーダであって、角度の変換誤差の絶対値が１秒以下のもの | アブソリュートエンコーダ | モーター等の回転角度、回転速度を検出するセンサー（ロータリーエンコーダ）のうち、絶対値を出力する方式のものをいう。 | ||
| 輸出令 第７項 （８の２） |
パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュール | 貨物等省令 第６条 第八号の二 |
パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュールであって、電気的に若しくは光学的に制御された切換え方法又は電子の放射を制御された切換え方法を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの（民生用の鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。）
イ 最大立上がり電流が30,000アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、休止状態電圧が1,100ボルトを超えるもの ロ 最大立上がり電流が2,000アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、次の（一）及び（二）に該当するもの （一）休止状態電圧が3,000ボルト以上のもの （二）最大電流が3,000アンペア以上のもの |
パルス出力切替えサイリスターデバイス又はサイリスターモジュール | シリコン制御整流器 （ＳＣＲｓ）、エレクトリカルトリガリングサイリスター（ＥＴＴｓ）、光トリガリングサイリスター（ＬＴＴｓ）、集積ゲート整流サイリスター（ＩＧＣＴｓ）、ゲートターンオフサイリスター（ＧＴＯｓ）、ＭＯＳ制御サイリスター（ＭＣＴｓ）及びソリッドトロン（Solidtrons）を含む。 |
||
| サイリスターモジュール | １以上のサイリスターデバイスで構成されるものをいう。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （８の３） |
電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュール | 貨物等省令 第６条 第八号の三 |
電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュールであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの（民生用の自動車、鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。）
イ 最大動作接合部温度が２１５度を超えるように設計したもの ロ 繰返しピーク休止状態電圧が３００ボルトを超えるもの ハ 継続電流が１アンペアを超えるもの |
貨物等省令第６条第八号の三中の半導体素子 | 接合電界効果トランジスタ （ＪＦＥＴｓ）、垂直接合電界効果トランジスタ（ＶＪＦＥＴｓ）、ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴｓ）、二重拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＤＭＯＳＦＥＴｓ）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴｓ）、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴｓ）、サイリスター及びシリコン制御整流器（ＳＣＲｓ）、ゲートターンオフサイリスター（ＧＴＯｓ）、エミッターターンオフサイリスター（ＥＴＯｓ）、ＰｉＮダイオード、ショットキーダイオードを含む。 |
||
| 貨物等省令第６条第八号の三中の半導体モジュール | １以上の電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子で構成されるものをいう。 | ||||||
| 繰返しピーク休止状態電圧 | ドレイン・ソース電圧、コレクター・エミッター電圧、繰返しピーク逆電圧、ピーク繰返し休止状態ブロック電圧を含む。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （９） |
デジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置、計測用の磁気テープ記録装置若しくはデジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置を計測用の磁気テープ記録装置として使用するための装置又はこれらの試験用の磁気テープ | 貨物等省令 第６条 第九号 |
デジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置、計測用の磁気テープ記録装置若しくはデジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置を計測用の磁気テープ記録装置として使用するための装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの試験用の磁気テープ
イ 計測用のアナログ磁気テープ記録装置であって、次のいずれかに該当するもの （一）帯域幅が４メガヘルツを超えるトラック又は電子チャネルを有するもの （二）１トラック又は１電子チャネル当たりの帯域幅が２メガヘルツを超えるものであって、記録トラックの数が４２を超えるもの （三）タイムベースエラーがプラスマイナス０．１マイクロ秒未満のもの ロ デジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置（テレビジョン信号の記録用に設計したものであって、国際電気通信連合、国際電気標準会議、アメリカ映画・テレビ技術者協会、ヨーロッパ放送連合又はアメリカ電気電子技術者協会により規格化され、又は勧告された信号フォーマット（圧縮されたものを含む。）を用いたものを除く。）であって、装置間の最大デジタル転送速度が３６０メガビット毎秒を超えるもの ハ 計測用のデジタル磁気テープ記録装置であって、ヘリカル走査技術又は固定ヘッド技術を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの （一）装置間の最大デジタル転送速度が１７５メガビット毎秒を超えるもの （二）宇宙用に設計したもの ニ デジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置を変換して計測用のデジタル磁気テープ記録装置として使用することができるように変換する電子装置であって、装置間の最大デジタル転送速度が１７５メガビット毎秒を超えるもの |
試験用の磁気テープ | 輸出令別表第１の７の項（９）に該当する装置の開発、設計又は製造に使用するために定格付けされた試験信号を記録した磁気テープをいう。 | 3A002a 3A001f |
|
| 人物若しくは風景その他の一般映像、テレビ画像、音声又は音楽を記録した娯楽用又は宣伝広告用の磁気テープを除く。 | |||||||
| 計測用のアナログ磁気テープ記録装置 | 計測用のアナログ磁気テープ記録装置でデジタル信号の記録ができるもの（高密度デジタル記録モジュールを使用するもの）を含む。 | 民生用のビデオに使用するように設計されたアナログ磁気テープ記録装置を除く。 | |||||
| タイムベースエラー | 米国電子機械工業会（ＥＩＡ）又はＩＲＩＧで定める規格に基づき測定したものをいう。 | ||||||
| 装置間の最大デジタル転送速度 | 磁気テープ記録装置と他の装置の間の主信号の転送速度をいい、デジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置については、全映像チャネルの最大デジタル転送速度であり、サンプリング周波数にビット数を乗じて得られたものをいう。 | ||||||
| 記録装置又は変換する電子装置が複数の機器で構成され、かつ、各々の機器が単独で機能しない場合には、その機器間の信号伝送を除く。 | |||||||
| 計測用のデジタル磁気テープ記録装置 | 計測用のアナログ磁気テープ記録装置でデジタル信号の記録ができるもの（高密度デジタル記録モジュールを使用するもの）を除く。 | 3A002a | |||||
| 輸出令 第７項 （１０） |
波形記憶装置 | 貨物等省令 第６条 第十号 |
波形記憶装置であって、次のイ及びロに該当するもの
イ サンプリング速度が１秒当たり２億サンプル以上で、かつ、分解能が１０ビット以上のもの ロ ２ギガビット毎秒以上のデータを連続して出力することができるように設計したもの |
波形記憶装置 | トランジェントレコーダー、波形ディジタイザーをいう。 | 3A002a | |
| サンプリング速度 | アナログ信号をデジタル信号に変換する速度をいう。 | ||||||
| データを連続して出力することができる | 波形記憶装置がサンプリング速度を維持した状態で、入力信号をアナログ信号からデジタル信号に変換しながら、変換されたデジタル信号の情報を欠落なく連続して大容量記憶装置にデータを最も速く出力することができることをいい、パラレルアーキテクチャを有する波形記憶装置については、最大ワード転送速度のワードに、ワードを構成するビット数を乗じたものを出力のパラメータとする。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （１１） |
磁気ディスク記録技術を用いたデジタル方式の計測用記録装置 | 貨物等省令 第６条 第十一号 |
磁気ディスク記録技術を用いたデジタル方式の計測用記録装置であって、次のイおよびロに該当するもの
イ サンプリング速度が1秒当たり１億サンプル以上で、かつ、分解能が８ビット以上のもの ロ １ギガビット毎秒以上のデータを連続して出力することができるように設計したもの |
||||
| 輸出令 第７項 （１２） |
信号発生器（周波数シンセサイザーを用いたものに限る。） | 貨物等省令 第６条 第十三号 |
周波数シンセサイザーを用いた信号発生器のうち、合成出力周波数の精度及び安定度が入力周波数又は当該装置の基準参照発振器によって規定されるものであって、次のいずれかに該当するもの（周波数シンセサイザーを用いた信号発生器であって、２以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除く。）
イ ３１．８ギガヘルツ超７０ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、次の（一）及び（二）に該当するパルスを発振するもの ロ ４３．５ギガヘルツ超７０ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力１００ミリワット（２０ディービーエム）を超えるもの ハ 次のいずれかに該当するもの （一）周波数切換え所要時間が３１２ピコ秒未満のもの （二）３．２ギガヘルツ超１０．６ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、１．６ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が１００マイクロ秒未満のもの （三）１０．６ギガヘルツ超３１．８ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、５５０メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が２５０マイクロ秒未満のもの （四）３１．８ギガヘルツ超４３．５ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、５５０メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が５００マイクロ秒未満のもの （五）４３．５ギガヘルツ超５６ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、５５０メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの （六）５６ギガヘルツ超７０ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、２．２ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が１ミリ秒未満のもの ニ 搬送波に対する１ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次の（一）及び（二）に該当するもの （一）３．２ギガヘルツ超７０ギガヘルツ以下のいずれかの合成出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが１０ヘルツ超１０キロヘルツ未満において、搬送波に対する１ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの ２０log10（メガヘルツで表した動作周波数）－２０log10（ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり）－126 （二）３．２ギガヘルツ超７０ギガヘルツ以下のいずれかの合成出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが１０キロヘルツ以上５００キロヘルツ未満において、搬送波に対する１ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの ２０log10（メガヘルツで表した動作周波数）－２０log10（ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり）－114 ホ 最大合成出力周波数が７０ギガヘルツを超えるもの |
周波数シンセサイザー を用いた信号発生装置 | 任意波形発生器を含む。 | 3A002d | |
| 周波数切換所要時間 | デジタルコード化された電気信号により出力周波数を切換えたときに、出力周波数の始点から終点の±０．０５パーセント以内までに達する時間をいう。周波数範囲が周波数切換え範囲の中間点の前後±０．０５パーセント未満のものについては、周波数切換えができないものとみなす。 | ||||||
| 周波数シンセサイザー | 出力周波数の数より少ない数の基準周波数により制御、導出又は統合し、一つ若しくは多数の出力周波数を同時若しくは選択的に出すことができる周波数源又は信号源をいう。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （１３） |
周波数分析器 | 貨物等省令 第６条 第十二号 |
無線周波数分析器であって、次のいずれかに該当するもの
イ 無線周波数分析器であって、３１．８ギガヘルツ超 ３７．５ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、３デシベルの分解能帯域幅が１０メガヘルツを超えるもの ロ 無線周波数分析器であって、４３．５ギガヘルツ超７０ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイズレベルがマイナス１５０ディービーエム毎ヘルツ未満のもの ハ 無線周波数分析器であって、７０ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの ニ デジタル信号処理技術を用いるもの（中心周波数と帯域幅の比が一定であるフィルターのみを使用しているものを除く。）であって、実時間帯域幅が４０メガヘルツを超えるもの |
無線周波数分析器 | 多周波数信号の中から単一周波数成分の基本的な特性を測定し、かつ、表示することができる装置をいう。 | 3A002c | |
| スペクトラムアナライザーを含む。 | |||||||
| デジタル信号処理技術を用いるもの | デジタルサンプリング及びデジタル変換技術を用いて、振幅及び位相に関する情報を含む入力信号のフーリエスペクトラムを表示するものをいう。 | ||||||
| 実時間帯域幅 | デジタル信号処理技術を用いる周波数分析器がいかなる不連続性も生じることなく解析し、その結果を表示装置又は大容量記憶装置に出力することができる入力信号の最大周波数範囲をいい、複数のチャネルを有する周波数分析器の場合は、入力信号が最大の周波数範囲となるチャネル構成にしたときの最大周波数範囲をいう。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （１４） |
ネットワークアナライザー | 貨物等省令 第６条 第十四号 |
ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
イ 最大動作周波数が４３．５ギガヘルツ超７０ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が３１．６２ミリワット（１５ディービーエム）を超えるもの ロ 最大動作周波数が７０ギガヘルツを超えるもの |
3A002e | |||
| 輸出令 第７項 （１５） |
原子周波数標準器 | 貨物等省令 第６条 第十六号 (第６条 |
原子周波数標準器であって、次のいずれかに該当するもの
イ ルビジウムを用いていないものであって、３０日間連続して発振したときの安定度が１，０００億分の１未満のもの ロ 宇宙用に設計したもの ハ 宇宙用に設計していないものであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの （一）ルビジウムを用いたもの |
3A002g | |||
| 輸出令 第７項 （１５の２） |
スプレー冷却方式の熱制御装置 | 貨物等省令 第６条 第十六号の二 |
スプレー冷却方式の熱制御装置であって、密閉された装置の中で冷媒の循環利用ができるもののうち、電気部品に絶縁冷媒を吹き付けて部品の温度を一定の範囲に収めるために特に設計した噴霧ノズルを有するもの又はそのために特に設計した部分品 | 3A003 | |||
| 輸出令 第７項 （１６） |
半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置若しくは試験装置又はこれらの部分品若しくは附属品 | 貨物等省令 第６条 第十七号 （第６条 |
半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホにおいて「半導体製造装置」という。）若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクルであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品
イ 結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの （一）７５ミリメートル以上の長さにわたり膜の厚さの許容差の絶対値が２.５パーセント未満のシリコン以外の膜を形成できるもの （二）有機金属化学的気相成長反応炉であって、第二十号又は第二十一号に該当する材料を化学的に反応させることにより化合物半導体の結晶を成長させるもの （三）ガス源又は固体源を用いた分子線エピタキシャル成長装置 ロ イオン注入装置であって、次のいずれかに該当するもの （一）ビームエネルギーが１メガ電子ボルトを超えるもの （二）ビームエネルギーが２キロ電子ボルト未満で使用することができるように設計したもの （三）直接描画を行うことができるもの （四）ビームエネルギーが６５キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が４５ミリアンペア以上のものであって、加熱された半導体材料の基板に酸素を注入することができるもの ハ 異方性プラズマドライエッチング装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの （一）パターンを形成する線の最小線幅が６５ナノメートル以下の回路を実現することができるもの （二）ウエハーの外縁から２ミリメートル以下の範囲を除外したウエハーの表面におけるパターンを形成する線の最小線幅の不均一性が３シグマの分布において、１０パーセント以下の範囲に収まるようにウエハーを加工することができるもの ホ 自動的にウエハーの装填を行うことができるマルチチャンバー対応ウエハー搬送中央装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの （一）イ、ロ又はハのいずれかに該当する半導体製造装置であってそれぞれ異なるものを３台以上接続することができるように設計したウエハーの出し入れ用の接続部を有するもの（異なる機能を有するものを接続することができるものに限る。） （二）複数のウエハーの処理を順次行うために真空状態で一体化された装置を構成するように設計したもの ヘ リソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するもの （一）ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のもの又はエックス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの １ 光源の波長が２４５ナノメートル未満のもの ２ ナノメートルで表した光源の波長に０．３５を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が９５以下のもの （二）インプリントリソグラフィ装置であって、９５ナノメートル以下の線幅を実現することができるもの （三）マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した直接描画方式の装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの １ 照射面の直径が０．２マイクロメートル未満のもの ２ １マイクロメートル未満の線幅のパターンを焼き付けることができるもの ３ 重ね合わせ精度の絶対値が０．２マイクロメートル未満のもの ト マスク又はレチクルであって、次のいずれかに該当するもの （一）第一号から第八号の三までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの （二）位相シフト膜を有する多層マスク（第一号に該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。） （三）第一号から第八号の三までのいずれかに該当する集積回路の製造用のインプリントリソグラフィテンプレート チ 試験装置であって、半導体素子若しくは集積回路又はこれらの半製品用のもののうち、次のいずれかに該当するもの （一）３１．８ギガヘルツを超える周波数でトランジスタのエスパラメータを試験することができるように設計したもの （二）削除 （三）第二号ハに該当するマイクロ波用集積回路の試験を行うことができるように設計したもの |
半導体素子 | イメージデバイス、光電子素子及び弾性波素子を含む。 | 3B001 | |
| 半導体物質 | 純度９９．９パーセント以上のものであって、次のいずれかに該当するものをいう。
イ シリコン又はゲルマニウムの多結晶のもの又は単結晶のもの ロ Ⅲ族元素であるアルミニウム、ガリウム又はインジウムとⅤ族元素である燐、砒素又はアンチモンとの化合物の結晶（ガリウム・砒素などの二元系化合物半導体結晶に加えインジウム・ガリウム・砒素・燐などの多元系化合物半導体結晶を含む｡) ハ Ⅱ族元素である亜鉛、カドミウム又は水銀とⅥ族元素である硫黄、セレン又はテルルとの化合物の結晶（硫化カドミウムなどの二元系化合物半導体結晶に加え、テルル化水銀カドミウムなどの多元系化合物半導体結晶を含む。） ニ 半導体素子用のシリコンカーバイトの単結晶 ホ シリコンとゲルマニウムとの混合物の単結晶 ヘ その他、半導体としての物性を備え、半導体素子に用いられるもの |
||||||
| 貨物等省令第６条第十七号イ（一）中のシリコン以外の膜を形成できるもの | 原子層エピタキシー法を用いた装置を含む。 | ||||||
| 部分品、附属品 | 他の用途に用いることができるものを除く。 | ||||||
| 有機金属化学的気相成長反応炉 | 装置を含む。 | ||||||
| ２キロ電子ボルト未満で使用することができるように設計したもの | ２キロ電子ボルト未満のエネルギーで浅いイオン注入を行うことを目的として特別に設計若しくは改造されたもの又は特別の附属装置（降加速器等）を有するものをいう。 | ||||||
| 貨物等省令第６条第十七号ニ中の製造に使用されるもの | 製造業者の仕様に従って評価する。 | ||||||
| ウエハー搬送中央装置 | 複数のウエハーに対し同一処理を同時に行うように設計したもの（ロボットを用いたものも含む。）を除く。 | ||||||
| 貨物等省令第６条第十七号ホ中の半導体製造装置であってそれぞれ異なるもの | 半導体製造装置であって、機能的に異なる物理的処理（デポジション、エッチング、イオン注入又は熱処理を含む。）を行うモジュール式装置をいう。 | ||||||
| 貨物等省令第６条第十七号ホ中の複数のウエハー処理を順次行う | マルチチャンバー対応ウエハー搬送中央装置により、同一のウエハーを第一の処理を行う装置から第二の処理を行う装置へ、第二の処理を行う装置から第三の処理を行う装置へ搬送することなどにより、同一のウエハーを異なる半導体製造装置で処理することをいう。 | ||||||
| インプリントリソグラフィ装置 | マイクロコンタクトプリンティング装置、ホットエンボシング装置、ナノインプリントリソグラフィ装置、及びステップアンドフラッシュインプリンティング装置を含む。 | ||||||
| 重ね合わせ精度 | ３シグマの値をいう。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （１７） |
マスク若しくはレチクル又はこれらの部分品若しくは附属品 | 3B001g 3B001h |
|||||
| 輸出令 第７項 （１８） |
半導体基板 | 貨物等省令 第６条 第十八号 |
次のいずれかに該当するものの多層膜からなるヘテロエピタキシャル成長結晶を有する基板
イ シリコン ロ ゲルマニウム ハ 炭化けい素 ニ Ⅲ－Ｖ族化合物（ガリウム又はインジウムの化合物 に限る。） |
多層膜からなるヘテロエピタキシャル成長結晶を有する基板 | 異種の半導体物質が同一結晶方位に結晶構造を連続させて積層成長してできた多層の結晶成長層を有する基板をいう。 | 3C001 | |
| 多層膜からなるヘテロエピタキシャル成長結晶を有する基板からなる材料を含む。 | |||||||
| 貨物等省令第６条第十、第十九号及び第二十二号中の基板 | 個別部品又は集積回路を、基板上若しくはその中に配置できるようになっているものであって、相互接続の有無によらないものをいう。 | ||||||
| Ⅲ－Ⅴ族化合物 | ほう素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム又はこれらの組合せと窒素、燐、砒素、アンチモン、ビスマス又はこれらの組合せとの化合物をいう。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （１９） |
レジスト | 貨物等省令 第６条 第十九号 |
レジストであって、次のいずれかに該当するもの又はそれを塗布した基板
イ 半導体用のリソグラフィに使用するポジ形レジストであって、２４５ナノメートル未満の波長の光で使用することができるように設計したもの ロ 電子ビーム又はイオンビームで使用するために設計したレジストであって、０．０１マイクロクーロン毎平方ミリメートル以下の感度を有するもの ハ エックス線で使用するために設計したレジストであって、２．５ミリジュール毎平方ミリメートル以下の感度を有するもの ニ 表面イメージング技術用に最適化したレジストリ（シリル化したレジストを含む。） ホ 第十七号ヘ（二）に該当するインプリントリソグラフィ装置に使用するように設計又は最適化したレジストであって、熱可塑性又は光硬化性のもの |
レジスト | 半導体製造用のレジスト（ソルダーレジストを除く。）であって、レジスト材である樹脂（ベースポリマー）を含む。 | 3C002 | |
| ポジ形レジスト | 照射された部分のみが現像液に溶解するレジストをいう。 | ||||||
| 表面イメージ技術 | 半導体製造用の技術であって、湿式又は乾式現像の改良のためにレジスト表面を酸化する技術を含む。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （２０） |
アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物 | 貨物等省令 第６条 第二十号 |
有機金属化合物又は有機化合物であって、次のいずれかに該当するもの
イ アルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純度が９９．９９９パーセントを超えるもの ロ 燐、砒素又はアンチモンの有機化合物であって、純度が９９．９９９パーセントを超えるもの |
有機金属化合物又は有機化合物 | アルミニウム、ガリウム、インジウム、燐、砒素又はアンチモンが、分子の有機部分の炭素と直接に結合している化合物をいう。 | 3C003 | |
| 輸出令 第７項 （２１） |
燐、砒素又はアンチモンの水素化 | 貨物等省令 第６条 第二十一号 |
燐、砒素又はアンチモンの水素化物であって、純度が９９．９９９パーセントを超えるもの（２０モルパーセント以上の不活性ガス又は水素を含んだものを除く。） | 純度 | アルミニウム、ガリウム、インジウム、燐、砒素又はアンチモン成分の純度をいう。 | 3C004 | |
| 不活性ガス | ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン又は窒素をいう。 | ||||||
| 輸出令 第７項 （２２） |
炭化けい素、窒化ガリウム、 窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムの基板又はインゴット、ブールその他のプリフォーム | 貨物等省令 第６条 第二十二号 |
炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムの基板（炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムの基板であって、これらの物質のエピタキシャル層を少なくとも１層以上有するものを含む。）又はインゴット、ブール若しくはその他のプリフォームであって、２０度の温度における電気抵抗率が１０，０００オームセンチメートルを超えるもの | ||||
| 貨物等省令第６条に掲げる貨物 | 次のいずれかに該当するものを除く。
イ 医療用に設計された装置 |
||||||
